1X00095H01模块备件

1X00095H01

电气特性：（TC=+25C除非另有规定）
参数符号测试条件小典型大单位
关闭特性（注2）
收藏家−发射极维持电压VCEO（sus）IC=100mA，IB=0，Vclamp=500V 500− − 五、
VCEX（sus）IC=2A，Vclamp=500V，TC=+100C 500− − 五、
IC=5A，Vclamp=500V，TC=+100C 375− − 五、
集电极截止电流ICEV VCEV=700V，VBE（断开）=1.5V− − 0.25毫安
VCEV=700V，VBE（关闭）=1.5V，TC=+150C− − 5.0毫安
ICER VCE=700V，RBE=50, TC=+100C− − 5.0毫安
发射极截止电流IEBO VEB=2V，IC=0− − 175毫安
关于特性（注3）
直流电流增益hFE VCE=5V，IC=5A 40− 400
VCE=5V，IC=10A 30− 300
收藏家−发射极饱和电压VCE（sat）IC=10A，IB=500mA− − 2.0伏
IC=10A，IB=500mA，TC=+100C− − 2.5伏
IC=20A，IB=2A− − 3.5伏
基础−发射极饱和电压VBE（sat）IC=10A，IB=500mA− − 2.5伏
IC=10A，IB=500mA，TC=+100C− − 2.5伏
二极管正向电压VF IF=5A，注3− 3.5伏
动态特性
小的−信号电流增益hfe VCE=10V，IC=1A，ftest=1MHz 8− −
输出电容Cob VCB=50V，IE=0，ftest=100kHz 100− 325pF
开关特性（电阻负载）
延迟时间td VCC=250V，IC=10A，IB1=500mA，
VBE（关闭）=5V，tp=50s、 占空比 2%
− 0.12 0.25 s
上升时间tr− 0.5 1.5 s
储存时间ts− 0.8 2.0 s
下降时间tf− 0.2 0.6 s
开关特性（电感负载，箝位）
存储时间tsv IC=10A峰值，Vclamp=250V，
IB1=500mA，VBE（断开）=5V，TC=+100C
− 1.5 3.5 s
交叉时间tc− 0.36 1.6 s
存储时间tsv IC=10A峰值，Vclamp=250V，
IB1=500mA，VBE（断开）=5V，TC=+25C
− 0.8− s
交叉时间tc− 0.18− s
注2.脉冲测试：脉冲宽度=300s、 占空比 2%.
注3.内部收集器−发射极二极管可以消除外部二极管箝位的需要
感应负载。测试表明，该二极管的正向恢复电压（VF）为：
与典型的快速恢复整流器相当。

1X00095H01

1X00095H01

Electrical Characteristics: (TC = +25C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit OFF Characteristics (Note 2) Collector−Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 100mA, IB = 0, Vclamp = 500V 500 − − V VCEX(sus) IC = 2A, Vclamp = 500V, TC = +100C 500 − − V IC = 5A, Vclamp = 500V, TC = +100C 375 − − V Collector Cutoff Current ICEV VCEV = 700V, VBE(off) = 1.5V − − 0.25 mA VCEV = 700V, VBE(off) = 1.5V, TC = +150C − − 5.0 mA ICER VCE= 700V, RBE= 50, TC = +100C − − 5.0 mA Emitter Cutoff Current IEBO VEB = 2V, IC = 0 − − 175 mA ON Characteristics (Note 3) DC Current Gain hFE VCE = 5V, IC = 5A 40 − 400 VCE = 5V, IC = 10A 30 − 300 Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 10A, IB = 500mA − − 2.0 V IC = 10A, IB = 500mA, TC = +100C − − 2.5 V IC = 20A, IB = 2A − − 3.5 V Base−Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 10A, IB = 500mA − − 2.5 V IC = 10A, IB = 500mA, TC = +100C − − 2.5 V Diode Forward Voltage VF IF = 5A, Note 3 − 3 5 V Dynamic Characteristics Small−Signal Current Gain hfe VCE = 10V, IC = 1A, ftest = 1MHz 8 − − Output Capacitance Cob VCB = 50V, IE = 0, ftest = 100kHz 100 − 325 pF Switching Characteristics (Resistive Load) Delay Time td VCC = 250V, IC = 10A, IB1 = 500mA, VBE(off) = 5V, tp = 50s, Duty Cycle  2% − 0.12 0.25 s Rise Time tr − 0.5 1.5 s Storage Time ts − 0.8 2.0 s Fall Time tf − 0.2 0.6 s Switching Characteristics (Inductive Load, Clamped) Storage Time tsv IC = 10A Peak, Vclamp = 250V, IB1 = 500mA, VBE(off) = 5V, TC = +100C − 1.5 3.5 s Crossover Time tc − 0.36 1.6 s Storage Time tsv IC = 10A Peak, Vclamp = 250V, IB1 = 500mA, VBE(off) = 5V, TC = +25C − 0.8 − s Crossover Time tc − 0.18 − s Note 2. Pulse test: Pulse Width = 300s, Duty Cycle  2%. Note 3. The internal Collector−Emitter diode can eliminate the need for an external diode to clamp inductive loads. Tests have shown that the Forward Recovery Voltage (VF) of this diode is comparable to that of typical fast recovery rectifiers.